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估值破300亿!千亿“车用芯片”市场启动,比亚迪、地平线融资事件缘何全国关注?

章鹰 ? 来源:电子发烧友原创 ? 作者:章鹰 ? 2021-03-08 08:09 ? 次阅读

(电子发烧友网报道文/章鹰)3月3日,全国两会在北京召开,来自各界代表对自动驾驶和车载芯片领域的卡脖子问题,发表不少建言。全国人大代表、奇瑞汽车董事长尹同跃表示,车载芯片是近期困扰汽车产业的难题,他建言国家层面尽早指定国产车载芯片技术路线发展纲要,明确车载芯片国产化率发展目标,加大芯片产业链建设,重点扶持及知识产权保护力度;成立芯片创投发展平台。


车载芯片的缺货问题,在美国新能源汽车的领头羊企业特斯拉来看,也不是那么轻松。据美国CNBC报道,半导体芯片短缺导致大多数汽车制造商暂时关闭工厂的一些生产线,特斯拉也不例外。2月25日,特斯拉首席执行官伊隆·马斯克在一条推特中承认,该公司位于加利福尼亚州弗里蒙特的工厂因"零部件短缺"而暂时关闭。在其2020年第四季度收益报告和备案中,特斯拉CEO警告称,芯片短缺可能会阻碍其2021年上半年的汽车生产目标。

图:ElonMask,图片来自CNBC网站

车载芯片领域,为何会出现缺货涨价的情况?中国在车用芯片领域的地位和忧虑是什么?最近三个月内,全国车用芯片领域重大融资事件有哪些,又将产生怎样的影响?笔者为你详细分析。

车用芯片短缺,价格上涨,可能持续到2023年


汽车芯片已集成到车辆中,以促进车身电子设备,远程信息处理和信息娱乐系统,动力总成系统以及底盘和安全系统的有序运行。这些芯片被用于车辆中以配合汽车应用,汽车芯片分为模拟IC,逻辑IC,微控制器和微处理器等。

自动驾驶,电动出行,连接性和高级安全性是智能网联汽车发展的重要趋势,这导致了对车辆中汽车芯片的需求猛增。美国MarketResearchFuture预测,在2018-2023年间,全球汽车芯片市场的复合年增长率为12.87%。市场估值可以从2017年的352.925亿美元增长到2023年的724.286亿美元。

从去年12月开始,IC供应链出现短缺情况,到了今年2月份,短缺情况已经从消费电子产品和ICT产品逐步扩展到工业和汽车市场。Trendforce报告指出,目前在12英寸晶圆厂的28nm,45nm和65nm节点上生产的汽车半导体产品正在遭受最严重的短缺,而在8英寸晶圆厂中1.18um及以上节点的生产能力也在遭受短缺。国际评级机构惠誉最近表示,半导体短缺正在扰乱汽车生产,并可能延迟新车销售的恢复和该部门的盈利能力。

对于信息娱乐系统、动力转向和制动器等领域,半导体芯片是新车中极为重要的组件。专家表示,根据车辆型号不同,有些新车可能配有数百种半导体芯片。美国CNBC报道,通用汽车公司预计,芯片短缺将使其今年的收益减少15亿美元到20亿美元。福特汽车表示,芯片短缺可能会使其2021年的收入减少10亿到25亿美元。由于短缺,本田汽车和日产汽车合计预计到3月份将减少销售25万辆汽车。

据路透社报道,丰田汽车公司是迄今仅有的异常公司之一。丰田汽车公司在2月初表示,它拥有多达四个月的芯片库存,并没有立即因为芯片短缺影响其汽车生产。

国际评级机构惠誉估计,短缺可能持续到2023年初。全球车用芯片大缺货,美国、日本、德国汽车产业相继传出因车用芯片缺货而减产的新闻,三国透过外交途径向台湾求援,台湾经济部日前邀请台湾晶圆代工厂代表开会,共同应对市场变化。

外资企业占全球汽车芯片市场份额超六成中国车用芯片自给率低


2019年全球汽车芯片的市场份额中,NXP英飞凌瑞萨、ST、TI等前8大供应商占据了63%的市场份额,且均为外资企业。汽车前装芯片95%是进口的,后装超过80%是进口,全球功率半导体供应链几乎全部掌握在英飞凌、安森美、意法等国外厂商手中,国内企业产业链中缺失话语权。

全球汽车芯片市场份额情况


汽车中有多种不同类型的芯片,从简单到复杂。主要类型是控制芯片,模拟和混合信号电源芯片,传感器无线通信接口芯片和存储芯片。

数据显示,2020年,全球汽车芯片市场规模约3000亿元,中国自主汽车芯片产业规模仅约70亿元,市场占比小于2.5%,且主要分散在低附加值和低可靠性领域。在新能源三电系统、底盘电控、自动驾驶等领域的关键零部件开发及主要芯片生产被国外企业垄断。

打破“卡脖子”技术桎梏,建立自主可控的供应链体系,对于包括新能源汽车在内的我国整体汽车产业健康发展和从汽车大国向汽车强国的迈进无疑具有战略意义。

我们认为,由于汽车零部件需要很长的产品研发和验证周期,想要在短期内找到合适的替代供应商并不容易。不过在此次芯片缺货过程中,可以明显看到新冠疫情为国内芯片企业进入汽车产业链注入了催化剂。

三大融资事件,推动中国车用芯片快速跟上

众所周知,在供应端,汽车电子对于半导体器件需求以MCU、NORFlash、IGBTGPU等为主,主要依赖8寸晶圆产能,目前8寸晶圆产能紧缺涨价已经成为共识,电动化、智能化、物联网化的发展使整车对主控芯片的需求快速增长,这也会加重芯片的需求。最近中国境内半导体企业的融资也恰好说明了车用芯片市场的热度。

地平线C轮共融资9亿美元推动中国汽车智能化产业转型

2月9日,中国人工智能芯片公司地平线对外宣布C3轮3.5亿美元融资,其中不仅获得国投招商、中金资本旗下基金、众为资本等顶级机构的重磅投资,还获得众多汽车产业链上下游明星企业的战略加持,包括比亚迪、长城汽车、长江汽车电子、东风资产、舜宇光学、星宇股份等。

而早在今年1月初,国内唯一实现前装量产的汽车智能芯片企业地平线,刚完成4亿美元的C2轮融资,截至到目前,地平线C轮融资共计达到9亿美元,超过预定目标。

编辑点评:地平线获得众多企业的融资,说明众多企业投资者认可汽车智能芯片的价值。地平线车载芯片征程2发货量已经突破百万片,公司已经形成了覆盖从L2到L3级别的“智能驾驶+智能座舱”芯片方案的完整产品布局。地平线计划在2021年上半年面向L3/L4级别自动驾驶推出业界旗舰级的征程5芯片,单芯片AI算力达到96TOPS,在MAPS评估标准下,征程5的性能超越特斯拉的FSD。

比亚迪董事长王传福谈及战略投资地平线,他认为,比亚迪作为新能源汽车行业领导者,而地平线为智能汽车提供强大的算力芯片,为老百姓解决控制、判断等驾驶安全问题,真正做到减少安全事故,推动社会进步。两者合作,共同推进中国汽车自主品牌芯片产业链的自主可控,驱动中国汽车产业智能化转型。

亿咖通科技超过2亿美元A+轮融资

2月25日,亿咖通科技(ECARX)宣布完成由中国国有资本风险投资基金领投的超过2亿美元A+轮融资,此轮融资完成后,亿咖通科技的整体估值将突破20亿美元。

亿咖通科技是一家成立于2016年的汽车智能化科技公司,由中国知名汽车企业家李书福先生携手沈子瑜先生共同创立。公司拥有超过1700名员工,已在杭州、北京、上海、武汉、大连及瑞典哥德堡设立了分支机构以及研发中心,并于2020年获得来自百度和海纳亚洲的战略投资。亿咖通科技不仅聚焦车载芯片、智能座舱、智能驾驶、高精度地图、大数据及车联网云平台等核心技术产品,还持续打造行业领先的智能网联生态开放平台,赋能车企创造更智能、安全的出行体验。目前,亿咖通科技智能网联系统在全球范围内已拥有超过240万用户。

编辑点评:汽车半导体是一个市场空间非常大,行业成长快,壁垒高,难进难出的赛道,目前汽车SoC处理器芯片基本上是被国外汽车半导体公司所垄断,据悉,亿咖通科技已形成四大序列芯片矩阵:车规级数字座舱芯片E系列、全栈AI语音芯片V系列、驾驶辅助芯片AD系列、微控制处理器M系列。战略投资者显然看好亿咖通科技的研发团队和产品化能力。

高瓴资本斥资2亿美金参与比亚迪定向增发

2月17日,据消息人士透露,高瓴资本斥资2亿美金,参与了比亚迪股份的最新一轮定向增发股票的购买。随后这一消息得以确认。比亚迪股份品牌及公关事业部总经理李云飞表示,“我们对高瓴资本参与本轮定增表示感谢和认可。相信前瞻资本与先进智造的结合会给企业带来更好的发展前景。”

值得关注的是,高瓴资本在此前刚刚清仓了造车新势力蔚来汽车、小鹏汽车、理想汽车等多家美股股票。

编辑点评比亚迪不仅是一家新能源汽车制造商,其品牌更大价值在于它还是一家半导体芯片制造商。比亚迪半导体在车载IGBT、MCU和传感器领域都已经全面进入,并已经初见成效。

据汽车行业权威调研数据显示,2019年国内车规级IGBT市场呈现寡头垄断格局,英飞凌以高达58.2%的市场份额位居第一,比亚迪位列第二,占18%。作为国内第一家自主研发、生产车用IGBT芯片的公司,比亚迪半导体成为国内市场上最有能力挑战国际大厂的本土厂商。

2018年,比亚迪推出IGBT4.0芯片,该产品性能优异,在多个关键性技术指标上优于市场主流产品,成为国内中高端IGBT功率芯片新标杆。2019年,比亚迪开发的第三代半导体功率器件SiC产品推出,2020年,比亚迪“汉”EV电机控制器首次装有自主研发的SiCMOSFET模块,从而显着提高了电机性能。

除功率器件外,比亚迪半导体在传感器和车规级MCU方面也已经推出相关产品。比亚迪半导体已经推出了第一代32位车规级MCU,这是一颗单核的32位MCU,功能相对比较简单,未来会推出多核的车载MCU。据悉比亚迪车规级MCU装车量突破500万颗。比亚迪半导体的产品除了供应自家品牌外,还将不断供应给国内其他厂商,为自主可控的国产化智能汽车出力。

小结

汽车芯片的短缺还在严重影响今年全球汽车的生产,断供问题一直处于风口浪尖,但是美国、英国和中国都采取了积极的应对措施,比如中国主要汽车零售价格相对稳定,没有出现明显的涨价趋势,随着工信部和国内电子企业全面推动芯片问题的环节对策,作为技术成熟的汽车芯片,供给的新产能会逐步释放,车市销量受到芯片短缺的影响可控。

笔者了解到,在芯片封测端,长电科技通过多个车载电子相关认证,可以为车载电子客户提供从电源管理,车载影音系统、车载感应器,到车载雷达/激光雷达和ADAS系统,中芯国际也已经和ASML达成了购买DUV光刻机订单,有助于缓解汽车芯片供应难题。再加上细分领域车载芯片公司不断融资,未来将有更多产能供应汽车产业链,建立我国自主可控的汽车芯片供应生态圈。


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发表于 02-25 10:43 ? 1488次 阅读
新能源汽车电机控制器工程师福利,IGBT或MOS栅极电阻设计与双脉冲测试

大功率MOSFET、IGBT怎么双脉冲测试,调门极电阻,急!急!急!急!急!急!

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发表于 02-24 17:38 ? 732次 阅读
大功率MOSFET、IGBT怎么双脉冲测试,调门极电阻,急!急!急!急!急!急!

常见问题解答:MOS和IGBT的区别是什么

到底什么是 IGBT? IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极 型晶体管,是由晶体三极管和 MO...
发表于 02-24 10:33 ? 707次 阅读
常见问题解答:MOS和IGBT的区别是什么

IGBT有哪些动态参数?

  重要的动态参数包括:栅极电阻(内部+外部)、栅极电容、寄生电容、充电电荷、开关时间等,其中,开关时间是开关特性的表征。...
发表于 02-23 16:33 ? 2251次 阅读
IGBT有哪些动态参数?

NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

T120L2Q2F2SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个分离式T型中性点钳位三电平逆变器,由两个160A / 1200V半桥IGBT和二极管组成,两个中性点120A / 1200V整流器,两个100A / 600V中性点IGBT,带反向二极管,两个半桥60A / 600V整流器和一个负温度系数热敏电阻(NTC)。 特性 优势 600 V IGBT规格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高效率 1200 V IGBT规格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高的效率 底板 热传播 可焊销 轻松安装 热敏电阻 温度检测 T型中性点钳位三电平逆变器模块 应用 终端产品 DC-AC阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 ? 150次 阅读
NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

120H2Q0SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 ? 70次 阅读
NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

NXH450N65L4Q2 功率集成模块(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二极管

N65L4Q2是功率集成模块,包含I型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个225 A / 650 V外部IGBT,两个375 A / 650 V内部IGBT和两个375 A / 650 V中性线组成点二极管。反向二极管是150 A / 650 V器件。该模块包含一个NTC热敏电阻。 特性 优势 现场停止4个650 V IGBT,具有快速开关性能和出色的VCE(SAT) 提高系统效率和简化热设计 焊针版本 应用 终端产品 DC-AC转换 分散式太阳能逆变器 - 1200V 不间断电源 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 ? 89次 阅读
NXH450N65L4Q2 功率集成模块(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二极管

NXH80T120L2Q0 功率集成模块(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

120L2Q0是功率集成模块,包含一个T型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个80 A / 1200 V半桥IGBT组成,带有40 A / 1200 V半桥二极管和两个50 A / 600 V NPC IGBT,带有两个50 A / 600 V NPC二极管。模块还包含一个板载热敏电阻。 特性 优势 低VCESAT的高速1200V和650V IGBT 提高效率 预先应用热界面材料(TIM)的选项预先应用的TIM 更简单的安装过程 使用压入销和焊针的选项 模块安装过程的更广泛选择 应用 终端产品 太阳能逆变器 UPS逆变器 太阳能串逆变器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 ? 88次 阅读
NXH80T120L2Q0 功率集成模块(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 ? 76次 阅读
NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

T120L2Q2F2SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个分离式T型中性点钳位三电平逆变器,由两个带反向二极管的160A / 1200V半桥IGBT,两个中性点120A / 1200V整流器组成,两个具有反向二极管的100A / 650V中性点IGBT,两个半桥60A / 650V整流器和一个负温度系数热敏电阻(NTC)。 特性 优势 650 V IGBT规格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高效率 1200 V IGBT规格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高的效率 底板 热传播 可焊销 轻松安装 热敏电阻 温度检测 T型中性点钳位三电平逆变器模块 应用 终端产品 DC-AC阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 ? 66次 阅读
NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

FSBB15CH120DF 运动SPM

CH120DF是一款先进的Motion SPM ? 3模块,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些模块综合优化了内置IGBT的栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带保护功能,包括欠压闭锁,过流关断,驱动芯片热监控和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅驱动器和保护功能 低功耗,额定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 LVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 绝缘等级:2500 V rms /分 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 ? 161次 阅读
FSBB15CH120DF 运动SPM

FSBB15CH120D 运动SPM

CH120D是一款先进的MotionSPM?3模块,用于交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。 这些模块综合优化了内置IGBT的栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带保护功能,包括欠压闭锁,过流关断,驱动芯片热监控和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅驱动器和保护功能 低功耗,额定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 LVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 绝缘等级:2500 V rms /分 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 ? 108次 阅读
FSBB15CH120D 运动SPM

NXH80B120L2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二极管

120L2Q0SG是一款功率模块,包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个30A / 1200V硅二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2830 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 Si整流器规格:VF = 2.4 V,IRRM = 53 A 用于中速切换的Si二极管 可焊接针 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + Si整流器模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 05:02 ? 97次 阅读
NXH80B120L2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二极管

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 04:02 ? 116次 阅读
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

NFL25065L4BT 用于2相交错式PFC的PFCSPM?2系列

65L4BT是一款PFCSPM?2模块,为消费,医疗和工业应用提供全功能,高性能的交错式PFC(功率因数校正)输入功率级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动,可最大限度地降低EMI和损耗,同时还提供多种模块内保护功能,包括欠压锁定,过流关断,热监控和故障报告。这些模块还具有全波整流器和高性能输出SiC二极管,可节省更多空间和安装便利性。 特性 650 V - 50 A 2阶段具有整体栅极驱动器和保护的交错式PFC 使用Al2O3 DBC衬底的极低热阻 全波桥式整流器和高性能输出SiC升压二极管 用于温度监控的内置NTC热敏电阻 隔离评级:2500 Vrms / min 应用 终端产品 2相交错式PFC转换器 商用空调 工业电机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 04:02 ? 111次 阅读
NFL25065L4BT 用于2相交错式PFC的PFCSPM?2系列

NFCS1060L3TT 智能功率模块(IPM) PFC组合 600V 10A

60L3TT是一个完全集成的PFC和逆变器功率级,包括一个高压驱动器,六个电机驱动IGBT,一个PFC SJMOSFET,一个用于整流器的PFC SiC-SBD和一个热敏电阻,适用于驱动永磁同步( PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为小腿提供独立的发射极连接,以便在选择控制算法时获得最大的灵活性。 特性 优势 在一个封装中采用PFC和逆变器级的简单散热设计。 保存PCB面积并简化装配流程 交叉传导保护 避免手臂短路输入信号不足 集成自举二极管和电阻器 保存PCB面积 应用 终端产品 电机驱动模块 电机控制系统 工业/通用控制系统HVAC 工业风扇电机 泵 洗衣机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 04:02 ? 74次 阅读
NFCS1060L3TT 智能功率模块(IPM) PFC组合 600V 10A

NFAP1060L3TT 智能功率模块(IPM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

60L3TT是一个完全集成的逆变器功率级,由高压驱动器,六个IGBT和一个热敏电阻组成,适用于驱动永磁同步(PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为低支路提供独立的发射极连接,在控制算法选择方面具有最大的灵活性。功率级具有全面的保护功能,包括跨导保护,外部关断和欠压锁定功能。连接到过流保护电路的内部比较器和参考电压允许设计人员设置过流保护电平。 特性 紧凑型44mm x 20.9mm单列直插式封装 内置欠压保护 交叉传导保护 集成自举二极管和电阻器 应用 终端产品 工业驱动器 泵 粉丝 Automationas 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 03:02 ? 77次 阅读
NFAP1060L3TT 智能功率模块(IPM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

4是一款高压功率栅极驱动器,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动器使用2个具有交叉传导保护的独立输入。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 最多输入引脚上的Vcc摆动 两个通道之间的匹配传播延迟 带输入的阶段输出 具有100ns内部固定死区时间的交叉传导保护 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 ? 188次 阅读
NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

1是一款高压功率栅极驱动器,提供两个输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高侧电源开关。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围从10 V到20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆幅 两个频道之间的匹配传播延迟 内部固定Dea的一个输入d时间(650 ns) 在两个频道的Vcc LockOut(UVLO)下 引脚与引脚兼容行业标准 应用 半桥电源转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 ? 121次 阅读
NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

MC33153 单IGBT驱动器

3专门设计用作高功率应用的IGBT驱动器,包括交流感应电机控制,无刷直流电机控制和不间断电源。虽然设计用于驱动分立和模块IGBT,但该器件为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括选择去饱和或过流检测和欠压检测。这些器件采用双列直插和表面贴装封装,包括以下特性: 特性 高电流输出级:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常规和感测IGBT的保护电路 可编程故障消隐时间 防止过电流和短路 针对IGBT优化的欠压锁定 负栅极驱动能力 成本有效地驱动功率MOSFET和双极晶体管 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 ? 629次 阅读
MC33153 单IGBT驱动器

NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

6是一款高压栅极驱动器IC,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT,采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动程序使用2个独立输入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高压范围:最高600 V dV / dt抗扰度±50 V / nsec 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆动 匹配传播两个渠道之间的延迟 输入阶段的输出 适应所有拓扑的独立逻辑输入(版本A) 交叉传导保护机智h 100 ns内部固定死区时间(版本B) 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 任何互补驱动转换器(非对称半桥,有源钳位)(仅限A型)。 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 00:02 ? 345次 阅读
NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

FL73282 半桥栅极驱动器

2是一款单片半桥栅极驱动器IC,可驱动工作电压高达+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dV / dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路,可使高侧栅极驱动器的工作电压在V BS = 15 V时达到V S = - 9.8 V(典型值)。当V CC 或V BS 低于指定阈值电压时,两个通道UVLO电路可防止发生故障。输出驱动器的源电流/灌电流典型值分别为350 mA / 650 mA,适用于各种半桥和全桥逆变器。 特性 浮动通道可实现高达+900 V的自举运行 两个通道的源/灌电流驱动能力典型值为350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪声消除电路 容许扩展负V S 摆幅至-9.8 V,以实现V CC = V BS = 15 V时的信号传输 10 V至20 V的V CC 和V BS 供电范围 双通道的欠压锁定功能 匹配传播延迟低于50 ns 内置170 ns死区时间 输出与输入信号同相 应用 照明 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 00:02 ? 511次 阅读
FL73282 半桥栅极驱动器

NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

3系列是一组高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于中高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器和其他汽车等汽车应用电源。通过消除许多外部组件,这些器件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括Active Miller Clamp(用于NCV5703A),精确的UVLO,DESAT保护和漏极开路故障输出。这些驱动器还具有精确的5.0 V输出(适用于所有版本)和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出(仅适用于NCV5703C),便于系统设计。这些驱动器设计用于容纳宽电压范围的单极性偏置电源(以及NCV5703B的双极性偏置电源)。所有版本均采用8引脚SOIC封装,符合AEC-Q100标准。 特性 优势 IGBT米勒平台电压下的高电流输出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低开关损耗并缩短切换时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 活动密勒钳(仅限NCV5703A) 防止假门开启 应用 终端产品 DC-交流变频器 电池充电器 汽车PTC加热器 驱动程序 电机控制 电动汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 22:02 ? 136次 阅读
NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

2是一款高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器,动力总成逆变器和其他汽车电源等汽车应用。该器件通过消除许多外部元件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括有源米勒钳位,精确的UVLO,EN输入,DESAT保护和漏极开路故障输出。该驱动器还具有精确的5.0 V输出和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出,便于系统设计。该驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源,包括单极性和双极性电压。它采用16引脚SOIC封装。符合AEC-Q100标准。 特性 优势 降低开关损耗和缩短开关时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 活动密勒钳 防止伪门开启 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 应用 终端产品 DC-AC逆变器 电池充电器 汽车PTC加热器 板载充电器 xEV充电器 汽车动力总成逆变器 牵引逆变器 电动汽车 EV充电器 牵引 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 22:02 ? 130次 阅读
NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式
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